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led芯片结构分析及led芯片重要参数介绍

查看: 6444| 评论: 256 |2024-05-10

芯片 参数 结构 分析 介绍
摘要:导语:随着科技技术的快速发展,许多新的智能产品越来越多,比如灯,说起灯,各位小伙伴们应该没有不知道的吧!可是提起芯片给位小伙伴们又了解多少呢?芯片也称为发光芯片

导语:随着科技技术的快速发展,许多新的智能产品越来越多,比如led灯,说起led灯,各位小伙伴们应该没有不知道的吧!可是提起led芯片给位小伙伴们又了解多少呢?led芯片也称为led发光芯片,是led灯的核心组件。那说到这里,各位小伙伴们想不想更深一层的了解led芯片呢?下面小编就会介绍led芯片的重要参数以及led芯片结构分析,有兴趣的小伙伴们一起随小编来看一下吧!

led芯片结构

LED芯片介绍

LED芯片是由P层半导体元素,N层半导体元素靠电子移动而重新排列组合成的PN结合体。LED芯片是五大原物料:芯片,支架,银胶,金线,环氧树脂中最重要的组成部分。主要由金垫、P极、N极、PN结、背金层构成(双pad芯片无背金层)组成。

LED芯片结构介绍

不同的LED芯片,其结构大同小异,有外延用的芯片基板(蓝宝石基板、碳化硅基板等)和掺杂的外延半导体材料及透明金属电极等构成。

led芯片结构

LED芯片特点

1、四元芯片,采用MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片要亮。

2、信赖性优良。

3、应用广泛。

4、安全性高。

5、寿命长。

LED芯片的重要参数

1、正向工作电流If:

它是指发光二极体正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。

2、正向工作电压VF:

参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极体正向工作电压VF在1.4~3V。在外界温度升高时,VF将下降。

3、V-I特性:

发光二极体的电压与电流的关系,在正向电压正小于某一值(叫阈值)时,电流极小,不发光。当电压超过某一值后,正向电流随电压迅速增加,发光。

4、发光强度IV:

发光二极体的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时,则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二极管强度小,所以发光强度常用烛光(坎德拉,mcd)作单位。

5、LED的发光角度:-90°至+90°

6、光谱半宽度Δλ:

它表示发光管的光谱纯度。

7、半值角θ1/2和视角:

θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。

8、全形:

根据LED发光立体角换算出的角度,也叫平面角。

9、视角:

指LED发光的最大角度,根据视角不同,应用也不同,也叫光强角。

10、半形:

法向0°与最大发光强度值/2之间的夹角。严格上来说,是最大发光强度值与最大发光强度值/2所对应的夹角。LED的封装技术导致最大发光角度并不是法向0°的光强值,引入偏差角,指得是最大发光强度对应的角度与法向0°之间的夹角。

11、最大正向直流电流IFm:

允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极体。

12、最大反向电压VRm:

所允许加的最大反向电压即击穿电压。超过此值,发光二极体可能被击穿损坏。

13、工作环境topm:

发光二极体可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二极体将不能正常工作,效率大大降低。

14、允许功耗Pm:

允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。

led芯片结构

以上这整篇文章就是小编和大家分享的关于led芯片的重要参数以及led芯片结构分析的相关知识内容。Led灯在现在是很受欢迎的,相信以后会更加的受欢迎,而led芯片又是led灯的主要部件,所以对于led芯片的一些相关知识各位小伙伴们去了解是很有必要的,如果用到了这些知识,那肯定很方便,如果没有用到,那多了解一些这方面的知识也是对我们有好处的。

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