mos管三极管有怎样的区别?

你好，两者区别主要有：
1.一个是电流驱动型（三极管）；一个是电压驱动型（MOS）；
2、三极管便宜，mos管贵。  
3、三极管损耗大。  
4、mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。  三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。  MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。  
一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管。
希望能帮到你。

1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，
2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。
3、功耗问题：三极管损耗大。
4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。
MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管
实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和
mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随
器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发
射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电
场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内
建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结
的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此
时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是
电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处
的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外
集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电
源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，
当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的
电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复
时间，因此可以用作高速开关管。
实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和
mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随
器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发
射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电
场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内
建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结
的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此
时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是
电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处
的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外
集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电
源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，
当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的
电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复
时间，因此可以用作高速开关管

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，    也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。