三极管参数大全，谁有?
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半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主 要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。 三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观，有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。 电子制作中常用的三极管有90××系列，包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP)，低噪声管9014(NPN)，高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31(低频小功率锗管)等，它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则，电子工程技术人员和电子爱好者应该了解三极管符号的含义。 符号的第一部分“3”表示三极管。符号的第二部分表示器件的材料和结构：A——PNP型锗材料；B——NPN型锗材料；C——PNP型硅材料；D——NPN型硅材料。符号的第三部分表示功能：U——光电管；K——开关管；X——低频小功率管；G——高频小功率管；D——低频大功率管；A——高频大功率管。另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。
8050是非常常见的NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大。 参数：类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集电极电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集电极-发射极电压（VCEO）:25; 特征频率:150 MHz PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W 3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K 2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
三极管型号及参数
晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型
IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应
IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应
IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应
IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应
IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应
IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应
IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应
IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应
IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应
IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应
IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应
IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应
IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应
IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应
晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型
IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应
IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应
IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应
IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应
IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应
IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应
IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应
IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应
IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应
IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应
IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应
IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应
IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应
IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应
IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应
晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型
IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应
IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应
IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应
IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应
IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应
IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应
IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应
IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应
IRF640 200V 18A 125W * * NMOS场效应
IRF630 200V 9A 75W * * NMOS场效应
IRF610 200V 3.3A 43W * * NMOS场效应
IRF541 80V 28A 150W * * NMOS场效应
IRF540 100V 28A 150W * * NMOS场效应
IRF530 100V 14A 79W * * NMOS场效应