双向二极管db3的工作原理谁知道?

一般万用表内的电池是15V而DB3的击穿电压在30V左右,所以万用表直接测量应为无限大,一般情况下可控硅坏的可能性较大.

双向二极管db3一般万用表内的电池是15V而DB3的击穿电压在30V左右,所以万用表直接测量应为无限大,一般情况下可控硅坏的可能性较大，  双向触发二极管(DIAC)属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅  ，在电路中作过压保护等用途。双向触发二极管正、反向伏安特性几乎完全对称。当器件两端所加电压U低于正向转折电压V(B0)时，器件呈高阻态。当U>V(B0)时，管子击穿导通进入负阻区。同样当U大于反向转折电压V(BR)时，管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用△V(B)表示。

原理：双向二极管db3是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。  当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。（也就是导电的原因）  当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。（这也就是不导电的原因）  晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电常当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。  当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。