场效应管开关电路原理是什么?

电池的正极通过开关S1接到场效应管Q1的2脚源极，所以它的1脚栅极通过R20电阻得到一个正电位，由于Q1是一个P沟道MOS管，所以场效应管是截止状态，电压不能继续通过，3V稳压IC输入脚得不到电压所以就不能工作，此时是关机状态。
　　当按下SW1开机按键时，电源的正极通过按键、R11、R23、D4接到三极管Q2的基极，此时三极管Q2的基极得到一个正电位，三极管Q2导通，由于三极管的发射极直接接地，三极管Q2导通就相当于Q1的栅极直接接地，导致Q1的栅极就从高电位变为低电位，Q1导通，电流通过Q1流到3V稳压IC的输入脚，3V稳压IC就是那个U1输出3V的工作电压Vcc供给主控。主控通过复位清零，读取固件程序检测等一系列动作，输出一个控制电压到PWR_ON到Q2的基极，保持Q2一直处于导通状态，  Q1就能源源不断的给3v稳压IC提供工作电压，这时电源处于开机状态。
　　SW1还同时通过R11、R30两个电阻的分压，给主控PLAY  ON脚送去时间长短、次数不同的控制信号，主控通过固件鉴别是播放、暂停、开机、关机而输出不同的结果给相应的控制点，以达到不同的工作状态。
　　场效应管开关电路讲到这里就结束了，亲，您看明白了没有啊?下面为大家推荐几篇与之相关的文章，感兴趣的同学快来看一下吧，希望对你们有所帮助哦~~~~~
　　1.场效应管工作原理--场效应管工作原理也疯狂
　　2.  MOS管工作原理，就是这么简单
　　3.场效应晶体管放大器

结型场效应管（N沟道JFET）工作原理：  可将N沟道JFET看作带“人工智能开关”的水龙头。这就有三部分：进水、人工智能开关、出水，可以分别看成是JFET的  d极  、g  极、s极。      “人工”体现了开关的“控制”作用即vGS。JFET工作时，在栅极与源极之间需加一负电压（vGS0），使N沟道中的多数载流子（电子）在电场作用下由源极向漏极运动，形成电流iD。iD的大小受“人工开关”vGS的控制，vGS由零往负向增大时，PN结的耗尽层将加宽，导电沟道变窄，vGS绝对值越大则人工开关越接近于关上，流出的水（iD）肯定越来越小了，当你把开关关到一定程度的时候水就不流了。      “智能”体现了开关的“影响”作用，当水龙头两端压力差（vDS）越大时，则人工开关自动智能“生长”。vDS值越大则人工开关生长越快，流水沟道越接近于关上，流出的水（iD）肯定越小了，当人工开关生长到一定程度的时候水也就不流了。理论上，随着vDS逐渐增加，一方面沟道电场强度加大，有利于漏极电流iD增加；另一方面，有了vDS，就在由源极经沟道到漏极组成的N型半导体区域中，产生了一个沿沟道的电位梯度。由于N沟道的电位从源端到漏端是逐渐升高的，所以在从源端到漏端的不同位置上，漏极与沟道之间的电位差是不相等的，离源极越远，电位差越大，加到该处PN结的反向电压也越大，耗尽层也越向N型半导体中心扩展，使靠近漏极处的导电沟道比靠近源极要窄，导电沟道呈楔形。所以形象地比喻为当水龙头两端压力差（vDS）越大，则人工开关自动智能“生长”。      当开关第一次相碰时，就是预夹断状态，预夹断之后id趋于饱和。      当vGS>0时，将使PN结处于正向偏置而产生较大的栅流，破坏了它对漏极电流iD的控制作用，即将人工开关拔出来，在开关处又加了一根进水水管，对水龙头就没有控制作用了。  
  绝缘栅场效应管(N沟道增强型MOSFET)工作原理：      可将N沟道MOSFET看作带“人工智能开关”的水龙头。相对应情况同JFET。与JFET不同的的是，MOSFET刚开始人工开关是关着的，水流流不出来。当在栅源之间加vGS>0，  N型感生沟道（反型层）产生后，人工开关逐渐打开，水流（iD）也就越来越大。iD的大小受“人工开关”vGS的控制，vGS由零往正向增大时，则栅极和P型硅片相当于以二氧化硅为介质的平板电容器，在正的栅源电压作用下，介质中便产生了一个垂直于半导体表面的由栅极指向P型衬底的电场，这个电场排斥空穴而吸引电子，P型衬底中的少子电子被吸引到衬底表面，这些电子在栅极附近的P型硅表面便形成了一个N型薄层，即导通源极和漏极间的N型导电沟道。栅源电压vGS越大则半导体表面的电场就越强，吸引到P型硅表面的电子就越多，感生沟道将越厚，沟道电阻将越小。相当于人工开关越接近于打开，流出的水（iD）肯定越来越多了，当你把开关开到一定程度的时候水流就达到最大了。MOSFET的“智能”性与JFET原理相同，
  绝缘栅场效应管(N沟道耗尽型MOSFET)工作原理：      基本上与N沟道JFET一样，只是当vGS>0时，N沟道耗尽型MOSFET由于绝缘层的存在，并不会产生PN结的正向电流，而是在沟道中感应出更多的负电荷，使人工智能开关的控制作用更明显。      开关只有两种状态通和断，三极管和场效应管工作有三种状态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）。使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路，一般以晶体管截止，集电极不吸收电流表示关；以晶体管饱和，发射极和集电极之间的电压差接近于0V时表示开。开关电路用于数字电路时，输出电位接近0V时表示0，输出电位接近电源电压时表示1。所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关状态。    晶体管饱和的条件,  V(工作电压)  /  Rc(负载电阻阻值)  =  Ic,  Ic  /  β  <  Ib  .  晶体管截止的条件,  Ic  ≈  0  ;  Ib  ≤  0  (基极不能悬浮至少有电阻接地,必要时可用反偏置)    
N沟道场效应管NFET，DS间加正向电压，GS极间加电压Vgs，  例如Vgs－Vdson＝5v，则NFET导通，等效于三极管的饱和导通状态。做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。  当Vgs小于夹断电压时，则NFET截止。  做无触点的、接通状态的电子开关

利用G加合式电压后场效应管导通，去掉电压后截止的原理工作，可以想像成它就是机械开关，只是开关的速度远远比机械的要高得多！
也可以这样形容吧：四两博千斤，怎么这样说呢，因为场效应管的控制极只要求很小的电压跟很小的电流就能控制它输出很高的电压跟很大的电流。

开关电源通过控制电路来控制开关管（MOS管）进行高速的导通与截止,将直流电转化为高频率的交流电提供给变压器进行变压,从而产生所需要的一组或多组电压!

即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。